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電容器的常見(jiàn)失效模式有

――擊穿短路；致命失效

――開(kāi)路；致命失效――電參數變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效

――漏液；部分功能失效

――引線(xiàn)腐蝕或斷裂；致命失效

――絕緣子破裂；致命失效

――絕緣子表面飛??；部分功能失效

引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類(lèi)電容器的材料、結構、制造工藝、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機理也各不一樣。

各種常見(jiàn)失效模式的主要產(chǎn)生機理歸納如下。

3.1失效模式的失效機理

3.1.1引起電容器擊穿的主要失效機理

①電介質(zhì)材料有疵點(diǎn)或缺陷，或含有導電雜質(zhì)或導電粒子；

②電介質(zhì)的電老化與熱老化；

③電介質(zhì)內部的電化學(xué)反應；

④銀離子遷移；

⑤電介質(zhì)在電容器制造過(guò)程中受到機械損傷；

⑥電介質(zhì)分子結構改變；

⑦在高濕度或低氣壓環(huán)境中極間飛??；

⑧在機械應力作用下電介質(zhì)瞬時(shí)短路。

3.1.2引起電容器開(kāi)路的主要失效機理

①引線(xiàn)部位發(fā)生“自愈“，使電極與引出線(xiàn)絕緣；

②引出線(xiàn)與電極接觸表面氧化，造成低電平開(kāi)路；

③引出線(xiàn)與電極接觸不良；

④電解電容器陽(yáng)極引出箔腐蝕斷裂；

⑤液體電解質(zhì)干涸或凍結；

⑥機械應力作用下電介質(zhì)瞬時(shí)開(kāi)路。

3.1.3引起電容器電參數惡化的主要失效機理

①受潮或表面污染；

②銀離子遷移；

③自愈效應；

④電介質(zhì)電老化與熱老化；

⑤工作電解液揮發(fā)和變稠；

⑥電極腐蝕；

⑦濕式電解電容器中電介質(zhì)腐蝕；

⑧雜質(zhì)與有害離子的作用；

⑨引出線(xiàn)和電極的接觸電阻增大。

3.1.4引起電容器漏液的主要原因

①電場(chǎng)作用下浸漬料分解放氣使殼內氣壓上升；

②電容器金屬外殼與密封蓋焊接不佳；

③絕緣子與外殼或引線(xiàn)焊接不佳；

④半密封電容器機械密封不良；

⑤半密封電容器引線(xiàn)表面不夠光潔；

⑥工作電解液腐蝕焊點(diǎn)。

3.1.5引起電容器引線(xiàn)腐蝕或斷裂的主要原因

①高溫度環(huán)境中電場(chǎng)作用下產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕

②電解液沿引線(xiàn)滲漏，使引線(xiàn)遭受化學(xué)腐蝕；

③引線(xiàn)在電容器制造過(guò)程中受到機械損傷；

④引線(xiàn)的機械強度不夠。

3.1.6引起電容器絕緣子破裂的主要原因

①機械損傷；

②玻璃粉絕緣子燒結過(guò)程中殘留熱力過(guò)大；

③焊接溫度過(guò)高或受熱不均勻。

3.1.7引起絕緣子表面飛弧的主要原因

①絕緣子表面受潮，使表面絕緣電阻下降；

②絕緣子設計不合理；

③絕緣子選用不當；

④環(huán)境氣壓過(guò)低；

電容器擊穿、開(kāi)路、引線(xiàn)斷裂、絕緣子破裂等使電容器完全失去工作能力的失效屬致命性失效，其余一些失效會(huì )使電容不能滿(mǎn)足使用要求，并逐漸向致命失效過(guò)渡；

電容器在工作應力與環(huán)境應力綜合作用下，工作一段時(shí)間后，會(huì )分別或同時(shí)產(chǎn)生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機理，同一失效機理又可產(chǎn)生多種失效模式。失效模式與失效機理之間的關(guān)系不是一一對應的。

3.2電容器失效機理分析

3.2.1潮濕對電參數惡化的影響

空氣中濕度過(guò)高時(shí)，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處，對于半密封結構電容器來(lái)說(shuō)，水分還可滲透到電容器介質(zhì)內部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫、高濕環(huán)境對電容器參數惡化的影響極為顯著(zhù)。經(jīng)烘干去濕后電容器的電性能可獲改善，但是水分子電解的后果是無(wú)法根除的。例如：電容器工作于高溫條件下，水分子在電場(chǎng)作用下電解為氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-），引線(xiàn)根部產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。即使烘干去濕，也不可能讓引線(xiàn)復原。

3.2.2銀離子遷移的后果

無(wú)機介質(zhì)電容多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作時(shí)，滲入電容器內部的水分子產(chǎn)生電解。在陽(yáng)極產(chǎn)生氧化反應，銀離子與氫氧根離子結合生成氫氧化銀。在陰極產(chǎn)生還原反應、氫氧化銀與氫離子反應生成銀和水。由于電極反應，陽(yáng)極的銀離子不斷向陰極還原成不連續金屬銀粒，靠水膜連接成樹(shù)狀向陽(yáng)極延伸。銀離子遷移不僅發(fā)生在無(wú)機介質(zhì)表面，銀離子還能擴散到無(wú)機介質(zhì)內部，引起漏電流增大，嚴重時(shí)可使兩個(gè)銀電極之間完全短路，導致電容器擊穿。

銀離子遷移可嚴重破壞正電極表面銀層，引線(xiàn)焊點(diǎn)與電極表面銀層之間，間隔著(zhù)具有半導體性質(zhì)的氧化銀，使無(wú)機介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著(zhù)上升。

由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會(huì )因此而下降。表面絕緣電阻則因無(wú)機介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導體而降低。銀離子遷移嚴重時(shí)，兩電極間搭起樹(shù)枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。

綜上所述，銀離子遷移不僅會(huì )使非密封無(wú)機介質(zhì)電容器電性能惡化，而且可能引起介質(zhì)擊穿場(chǎng)強下降，最后導致電容器擊穿。

值得一提的是：銀電極低頻陶瓷獨石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現象比其他類(lèi)型的陶瓷介質(zhì)電容器嚴重得多，原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結構。銀電極與陶瓷介質(zhì)一次燒結過(guò)程中，銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固相反應，滲入了瓷-銀接觸處形成界面層。如果陶瓷介質(zhì)不夠致密，水分滲入后，銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生，還可能穿透陶瓷介質(zhì)層。多層疊片結構的縫隙較多，電極位置不易精確，介質(zhì)表面的留邊量小，疊片層兩端涂覆外電極時(shí)銀漿滲入縫隙，降低了介質(zhì)表面的絕緣電阻，并使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時(shí)容易產(chǎn)生短路現象。

3.2.3高濕度條件下陶瓷電容器擊穿機理

半密封陶瓷電容器（如：貼片電容）在高濕度環(huán)境條件下工作時(shí)，發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴重問(wèn)題。所發(fā)生的擊穿現象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類(lèi)。介質(zhì)擊穿按發(fā)生時(shí)間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種。早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷，這些缺陷導致陶瓷介質(zhì)電強度顯著(zhù)降低，以致于在高濕度環(huán)境中電場(chǎng)作用下，電容器在耐壓試驗過(guò)程中或工作初期，就產(chǎn)生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學(xué)擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當普遍的問(wèn)題。銀遷移形成的導電樹(shù)枝狀物，使漏電流局部增大，可引起熱擊穿，使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介電容器中，因為擊穿時(shí)局部發(fā)熱厲害，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。

此外，以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中，負荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應，使鈦離子由四價(jià)變?yōu)槿齼r(jià)。陶瓷介質(zhì)的老化顯著(zhù)降低了電容器的介電強度，可能引起電容器擊穿。因此，這種陶瓷電容器的電解擊穿現象比不含二氧化鈦的陶瓷介質(zhì)電容器更加嚴重。

銀離子遷移使電容器極間邊緣電場(chǎng)發(fā)生嚴重畸變，又因高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜，使電容邊緣表面電暈放電電壓顯著(zhù)下降，工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現象。嚴重時(shí)導致電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結構、極間距離、負荷電壓、保護層的疏水性與透濕性等因素有關(guān)。主要就是邊緣表面極間飛弧擊穿，原因是介質(zhì)留邊量較小，在潮濕環(huán)境中工作時(shí)銀離子遷移和表面水膜形成使電容器邊緣表面絕緣電阻顯著(zhù)下降，引起電暈放電，最終導致?lián)舸?。高濕度環(huán)境中尤其嚴重。由于銀離子遷移的產(chǎn)生與發(fā)展需要一段時(shí)間，所以在耐壓試驗初期，失效模式以介質(zhì)擊穿為主，直到試驗500h以后，主要失效模式才過(guò)渡為邊緣表面極間飛弧擊穿。

對于高濕度環(huán)境引起的失效，在實(shí)際應用時(shí)可以采用整板安裝完器件以后噴涂三防漆。

3.2.4高頻精密電容器的低電平失效機理

云母是一種較理想的電容器介質(zhì)材料，具有很高的絕緣性能，耐高溫，介質(zhì)損耗小，厚度可薄達25微米。云母電容器的主要優(yōu)點(diǎn)是損耗小，頻率穩定性好、分布電感小、絕緣電阻大，特別適合在高頻通信電路中用做精密電容器。但是，云母資源有限，難于推廣使用。近數十年內，有機薄膜電容器獲得迅速發(fā)展，其中聚苯乙烯薄膜電容器具有損耗小、絕緣電阻大、穩定性好、介質(zhì)強度高等優(yōu)點(diǎn)。精密聚苯乙烯電容器可代替云母電容器用于高頻電路。需要說(shuō)明的是：應用于高頻電路中的精密聚苯乙烯電容器，一般采用金屬箔極板，以提高絕緣電阻與降低損耗。

電容器的低電平失效是20世紀60年代以來(lái)出現的新問(wèn)題。低電平失效是指電容器在低電壓工作條件下出現的電容器開(kāi)路或容量下降超差等失效現象。60年代以來(lái)半導體器件廣泛應用，半導體電路電壓比電子管電路低得多，使電容器的實(shí)際工作電壓在某些電路中僅為幾毫伏，引起電容器低電平失效，具體表現是電容器完全喪失電容量或部分喪失電容量。對于低電平?jīng)_擊，使電容器的電容量恢復正常。

產(chǎn)生低電平失效的原因主要在于電容器引出線(xiàn)與電容器極板接觸不良，接觸電阻增大，造成電容器完全開(kāi)路或電容量幅度下降。

精密聚苯乙烯薄膜電容器一般采用鋁箔作為極板，銅引出線(xiàn)與鋁箔極板點(diǎn)焊在一起。鋁箔在空氣中極易氧化；極板表面生成一層氧化鋁半導體薄膜，在低電平條件下氧化膜層上的電壓不足以把它擊穿，因而鋁箔間形成的間隙電容量的串聯(lián)等效容量，間隙電容量愈小，串聯(lián)等效容量也愈小。因此，低電平容量取決于極板表面氧化鋁層的厚薄，氧化鋁層愈厚，低電平條件下電容器的電容量愈小。此外，電容器在交流電路中工作時(shí)，其有效電容量會(huì )因接觸電阻過(guò)大而下降，接觸電阻很大時(shí)有效電容量可減小到開(kāi)路的程度。即使極板一引線(xiàn)間不存在導電不良的間隔層，也會(huì )產(chǎn)生這種后果。

引起精密聚苯乙烯電容器低電平失效的具體因素歸納如下：

①引線(xiàn)表面氧化或沾層太薄，以致焊接不牢；

②引線(xiàn)與鋁箔點(diǎn)焊接不良，沒(méi)有消除鋁箔表面點(diǎn)焊處的氧化鋁膜層；

③單引線(xiàn)結構的焊點(diǎn)數過(guò)少，使出現低電平失效的概率增大；

④粗引線(xiàn)根部打扁部分接觸面積雖然較大，但點(diǎn)焊后焊點(diǎn)處應力也較大，熱處理或溫循過(guò)程中，可能損傷接觸部位，惡化接觸情況；

⑤潮氣進(jìn)入電容器芯子，氧化腐蝕焊點(diǎn)，使接觸電阻增大。

引起云母電容器低電平失效的具體因素歸納如下：

①銀電極和引出銅箔之間以及銅箔和引線(xiàn)卡之間存在一層很薄的地臘薄膜。低電平條件下，外加電壓不足以擊穿這層絕緣膜，產(chǎn)生間隙電容，并使接觸電阻增大；

②銀電極和銅箔受到有害氣體侵蝕，使接觸電阻增大。在潮濕的硫氣環(huán)境中銀和銅容易硫化，使極板與引線(xiàn)間的接觸電阻上升。

3.2.5金屬化紙介電容失效機理

金屬化紙介電容器的極板是真空蒸發(fā)在電容器紙表面的金屬膜

A、電參數惡化失效

“自愈”是金屬化電容器的一個(gè)獨特優(yōu)點(diǎn)，但自愈過(guò)程頗為復雜，自愈雖能避免電容器立即因介質(zhì)短路而擊穿，但自愈部位肯定會(huì )出現金屬微粒遷移與介質(zhì)材料受熱裂解的現象。電容器紙由纖維組成，纖維素是碳水化合物類(lèi)的高分子物質(zhì)。在高溫下電容器纖維素解成游離狀態(tài)的碳原子或碳離子，使自愈部位表面導電能力增加，導致電容器電阻下降、損耗增大與電容減小。嚴重時(shí)可使電容器因電參數惡化程度超過(guò)技術(shù)條件許可范圍而失效。

金屬化紙介電容器在低于額定工作電壓的條件下工作時(shí)，自愈能量不足，電容器紙中存在的導電雜質(zhì)在電場(chǎng)作用于下形成低阻通路，也可導致電容器絕緣電阻降低和損耗增大。

電容器紙是多孔性的極性有機介質(zhì)材料，極易吸收潮氣。電容器芯子雖浸漬處理，但如果工藝不當或浸漬不純，或在電場(chǎng)作用下工作相當時(shí)間后產(chǎn)生浸漬老化現象，則電容器的絕緣電阻將因此降低，損耗也將因此增大。

電容量超差失效產(chǎn)金屬化紙介電容器的一種失效形式。在高溫條件下儲存時(shí)金屬化紙介電容器可能因電容量增加過(guò)多而失效，在高溫條件下加電壓工作時(shí)又可能因電容量減少過(guò)多而失效。高溫儲存時(shí)半密封型金屬化紙介電容器免不了吸潮，水是強極性物質(zhì)，其介電常數接近浸漬電容器介電常數的20倍。因此，少量潮氣侵入電容器芯子，也會(huì )引起電容量顯著(zhù)增大。烘烤去濕后電容呈會(huì )有所下降。如果電容器在高溫環(huán)境中工作，則水分和電場(chǎng)的共同作用會(huì )使金屬膜電極產(chǎn)生電解性腐蝕，使極板有效面積減小與極板電阻增大，導致電容量大幅度下降。如果引線(xiàn)與金屬膜層接觸部位產(chǎn)生腐蝕，則接觸電阻增大，電容器的有效電容量將更進(jìn)一步減小。個(gè)別電容器的電容量可降到接近于開(kāi)路的程度。

引線(xiàn)斷裂失效

金屬化紙介電容器在高濕環(huán)境中工作時(shí)，電容器正端引線(xiàn)根部會(huì )遭到嚴重腐蝕，這種電解性腐蝕導致引線(xiàn)機械強度降低，嚴重時(shí)可造成引線(xiàn)斷裂失效

3.2.6鋁電解電容器的失效機理

鋁電解電容器正極是高純鋁，電介質(zhì)是在金屬表面形成的三氧化二鋁膜，負極是黏稠狀的電解液，工作時(shí)相當一個(gè)電解槽。鋁電解電容器常見(jiàn)失效模式有：漏液、爆炸、開(kāi)路、擊穿、電參數惡化等，有關(guān)失效機理分析如下。

A、漏液

鋁電解電容器的工作電解液泄漏是一個(gè)嚴重問(wèn)題。工作電解液略呈現酸性，漏出的工作電解液嚴重污染和腐蝕電容器周?chē)钠渌骷陀∷㈦娐钒?。同時(shí)電解電容器內部，由于漏液而使工作電解液逐漸干涸，喪失修補陽(yáng)極氧化膜介質(zhì)的能力，導致電容器擊穿或電參數惡化而失效。

產(chǎn)生漏液的原因很多，主要是鋁電解電容器密封不佳。采用鋁負極箔夾在外殼邊與封口板之間的封口結構時(shí)很容易在殼邊滲漏電解液。采用橡膠塞密封的電容器，也可能因橡膠老化、龜裂而引起漏液。此外，機械密封工藝有問(wèn)題的產(chǎn)品也容易漏液?？傊?，漏液與密封結構、密封材料與密封工藝有密切的關(guān)系。

尤其是水系電容，這種電容為了增大電解液的介電常數，水的比例很大。電解電容的介電材質(zhì)對溫度非常敏感，尤其是水系電解電容，這是因為水系電解電容的水系電解液會(huì )隨著(zhù)溫度熱脹冷縮，溫度過(guò)高高甚至可能會(huì )揮發(fā)產(chǎn)生氣體，導致電容內部壓力過(guò)高，當壓力超過(guò)臨界點(diǎn)，外殼裂開(kāi)電解液溢出。電容容量的公式如下：

C[F]=ε0·ε·S/t

Q:電量(?C?)

V:電壓(V?)

C:電容量(F)

S：電極面積[m2]

t：介質(zhì)厚度



ε：相對介電常數

ε0:介質(zhì)在真空狀態(tài)下的介電常數

爆炸

鋁電解電容器在工作電壓中交流成分過(guò)大，或氧化膜介質(zhì)有較多缺陷，或存在氯根、硫酸根之類(lèi)有害的陰離子，以致漏電流較大時(shí)電解作用產(chǎn)生氣體的速率較快，大部分氣體用于修補陽(yáng)極氧化膜，少部分氧氣儲存在電容器殼內。工作時(shí)間愈長(cháng)，漏電流愈大，殼內氣體愈多，溫度愈高。電容器金屬殼內外的氣壓差值將隨工作電壓和工作時(shí)間的增加而增大。如果產(chǎn)品密封不佳，則將造成漏液；如果密封良好，又沒(méi)有任何防爆措施，則氣壓增大到一定程度就會(huì )引起電容器爆炸。高壓大容量電容器的漏電流較大，爆炸可能性更大。目前，已普遍采用防爆外殼結構，在金屬外殼上部增加一道褶縫，氣壓高時(shí)將褶縫頂開(kāi)，增大殼內容積，從而降低氣壓，減少爆炸危險。

C、開(kāi)路

鋁電解電容器在高溫或潮熱環(huán)境中長(cháng)期工作時(shí)可能出現開(kāi)路失效，其原因在于陽(yáng)極引出箔片遭受電化學(xué)腐蝕而斷裂。對于高壓大容量電容器，這種失效模式較多。此外，陽(yáng)極引出箔片和陽(yáng)極箔鉚接后，未經(jīng)充分平，則接觸不良會(huì )使電容器出現間歇開(kāi)路。

鋁電解電容器內采用以DMF（二甲基酰胺）為溶劑的工作電解液時(shí)，DMF溶液是氧化劑，在高溫下氧化能力更強。工作一段時(shí)間后可能因陽(yáng)極引出箔片與焊片的鉚接部位生成氧化膜而引起電容器開(kāi)路。如果采用超聲波焊接機把引出箔片與焊點(diǎn)在一起，可則減少這類(lèi)失效現象。

D、擊穿

鋁電解電容器擊穿是由于陽(yáng)極氧化鋁介質(zhì)膜破裂，導致電解液直接與陽(yáng)極接觸而造成的。氧化鋁膜可能因各種材料，工藝或環(huán)境條件方面的原因而受到局部損傷。在外加電場(chǎng)的作用下工作電解液提供的氧離子可在損傷部位重新形成氧化膜，使陽(yáng)極氧化膜得以填平修復。但是如果在損傷部位存在雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填平修復工作無(wú)法完善，則在陽(yáng)極氧化膜上會(huì )留下微孔，甚至可能成為穿透孔，使鋁電解電容器擊穿。

此外，隨著(zhù)使用和儲存時(shí)間的增長(cháng)，電解液中溶劑逐漸消耗和揮發(fā)，使溶液酸值上升，在儲存過(guò)程中對氧化膜層發(fā)生腐蝕作用。同時(shí)，由于電解液老化與干涸，在電場(chǎng)作用下已無(wú)法提供氧離子修補氧化膜，從而喪失了自愈作用，氧化膜一經(jīng)損壞就會(huì )導致電容器擊穿。工藝缺陷也是鋁電解電容器擊穿的一個(gè)主要原因。如果賦能過(guò)程中形成的陽(yáng)極氧化膜不夠致密與牢固，在后續的裁片、鉚接工藝中又使氧化膜受到嚴重損傷。這種陽(yáng)極氧化膜難以在最后的老煉工序中修補完善，以致電容器使用過(guò)程中，漏電流很大，局部自愈已挽救不了最終擊穿的命運。又如鉚接工藝不佳時(shí)，引出箔條上的毛剌嚴重剌傷氧化膜，刺傷部位漏電流很大，局部過(guò)熱使電容器產(chǎn)生熱擊穿。

E、電參數惡化

電容量下降與損耗增大

鋁電解電容器的電容量在工作期間緩慢下降，這是由于負荷過(guò)程中工作電解液不斷修補并增厚陽(yáng)極氧化膜所致。鋁電解電容器在使用后期，由于電解液耗損較多、溶液變稠，電阻率因黏度增大而上升，使工作電解質(zhì)的等效串聯(lián)電阻增大，導致電容器損耗明顯增大。同時(shí)，黏度增大的電解液難于充分接觸經(jīng)腐蝕處理的凹凸不平鋁箔表面上的氧化膜層，這樣就使鋁電解電容器的極板有效面積減小，引起電容量急劇下降。這也是電容器使用壽命臨近結束的表現。

此外，如果工作電解液在低溫下黏度增大過(guò)多，也會(huì )造成損耗增大與電容量急劇下降的后果。硼酸一乙二醇系統工作電解液的低溫性能不佳，黏度過(guò)大導致等效串聯(lián)電阻激增，使損耗變大和有效電容量驟減，從而引起鋁電解電容器在嚴寒環(huán)境中使用時(shí)失效。

漏電流增加

漏電流增加往往導致鋁電解電容器失效。賦能工藝水平低，所形成的氧化膜不夠致密與牢固，開(kāi)片工藝落后，氧化膜損傷與沾污嚴重，工作電解液配方不佳，原材料純度不高，電解液的化學(xué)性質(zhì)與電化學(xué)性質(zhì)難以長(cháng)期穩定，鋁箔純度不高，雜質(zhì)含量多……這些因素均可能造成漏電流超差失效。

鋁電解電容器中氯離子沾污嚴重，漏電流導致沾污部位氧化膜分解，造成穿孔，促使電流進(jìn)一步增大。此外，鋁箔的雜質(zhì)含量較高，一般鐵雜質(zhì)顆粒的尺寸大于陽(yáng)極氧化膜的厚度，使電流易于傳導。銅與硅雜質(zhì)的存在影響鋁氧化物向晶態(tài)結構轉變。銅和鋁還可在電解質(zhì)內組成微電池，使鋁箔遭到腐蝕破壞?？傊?，鋁箔中金屬雜質(zhì)的存在，會(huì )使鋁電解電容器漏電流增大，從而縮短電容器的壽命。