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下面是不同材質(zhì)電容器的性能和應用事項：

①NPO電容器

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩定的電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm／℃，電容量隨頻率及相對使用壽命的變化都非常小。

隨封裝形式不同，其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的NPO電容器要比小封裝尺寸的頻率特性好。

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

②X7R電容器

X7R電容器被稱(chēng)為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15％，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線(xiàn)性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，但是要比Z5U和Y5V電容器好得多。

X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。

③Z5U電容器

Z5U電容器稱(chēng)為“通用”陶瓷片式電容器。它最主要優(yōu)點(diǎn)的是小尺寸和低成本。對于已經(jīng)講過(guò)的三種片式電容來(lái)說(shuō)，在同樣的體積下，Z5U電容器具有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，另外介質(zhì)損耗可以達到3％。

盡管它的容量不穩定，但是這種電容器所特的體積小、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、以及良好的頻率響應等優(yōu)點(diǎn)，使得這種電容器還是獲得了廣泛的應用，尤其是在退耦電路的應用中。

④Y5V電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到+85℃范圍內其容量變化可以達到+22％至-82％，另外介質(zhì)損耗可以達到5％。但是Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4．7μF的電容器。

下面是用以說(shuō)明片式電容器性能的主要技術(shù)指標：

①容量與誤差：實(shí)際電容量和標稱(chēng)電容量允許的最大偏差范圍。

常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D級：±0．5％；F級：±1％；G級：±2％；J級：±5％；K級：±10％；M級：±20％。

②額定工作電壓：電容器在電路中能夠長(cháng)期穩定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱(chēng)耐壓。對于結構、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。

③溫度系數：在一定溫度范圍內，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數越小越好。

④絕緣電阻：用來(lái)表明漏電大小的。一般小

容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。

⑤損耗：在電場(chǎng)的作用下，電容器在單位時(shí)間內發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。

⑥頻率特性：電容器的電參數隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時(shí)，電容器的分布參數，如極片電阻、引線(xiàn)和極片間的電阻、極片的自身電感、引線(xiàn)電感等，都會(huì )影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。

在實(shí)際使用中，除了要注意環(huán)境溫度變化對電容器電容量變化的影響外，還要注意工作電壓和儲存時(shí)間對電容器電容量變化的影響。

①電容器的使用電壓對電容器的電容量有影響，穩定性低的介質(zhì)，在施加額定工作電壓后容量會(huì )大幅度下降(見(jiàn)圖3)，以至達不到使用效果，這一點(diǎn)在選擇電容器時(shí)必須給以充分注意(不能一味追求大容量和小體積，必須在容量和使用電壓上留有充分余地)。

②儲存時(shí)間對電容器的容量也有影響，對超穩定的電容器，如COG和X7R，隨時(shí)間增長(cháng)電容器容量的變化不大?？墒荶5U／Y5V這類(lèi)電容，隨時(shí)間增長(cháng)，存放1 000小時(shí)的電容量變化可以高達5％～10％，或更大。但是這類(lèi)電容器容量的老化是可逆的。每次將電容溫度升到125℃，老化過(guò)程便重新開(kāi)始。所以當這類(lèi)電容器的存放時(shí)間超過(guò)1000小時(shí)后所發(fā)生的容量偏低現象不屬于產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題，其特性是符合國際規范的。對于容量偏低的電容器的通用解決辦法是，即將電容器放在150℃左右的環(huán)境下預熱1小時(shí)。其電容量就恢復正常值。

2 片式電容器在設備電磁干擾抑制中的應用

片式電容器在一般電子電路中的主要應用有：濾波、耦合、去耦、旁路、諧振、時(shí)間常數(定時(shí))和反饋等等。其中：

①濾波：并聯(lián)在電源電路的正負極之間，把電路中無(wú)用的交流去掉(或將整流后的單向脈動(dòng)電壓中的交流分量濾掉，使單向脈動(dòng)變成平滑的直流)。

②去耦：并接于電路電源接線(xiàn)的正負極之間，可防止各部分電路通過(guò)電源內阻引起的相互干擾(嚴重時(shí)還會(huì )產(chǎn)生寄生振蕩)。

③旁路：并接在電阻兩端或由某點(diǎn)直接跨接至共用電位點(diǎn)，為交直流信號中的交流或脈動(dòng)信號設置一條通路，避免交流成分在通過(guò)電阻時(shí)產(chǎn)生壓降。

片式電容器在設備中的電磁干擾抑制，實(shí)際上只是片式電容器在電路中應用的一個(gè)方面，只不過(guò)為了突出《片式電磁兼容對策器件》中的“對策”作用，才把它專(zhuān)門(mén)列成一節。

上面講到的電源線(xiàn)路濾波和去耦也是設備電磁干擾抑制應用的一部分。此外還有信號線(xiàn)的共模濾波，信號線(xiàn)和電源線(xiàn)的輻射抑制等。

為了使片式電容干擾抑制的效果更加顯現，有時(shí)往往還要與片式磁珠和片式電感器結合起來(lái)一起使用?，F時(shí)還有一種將電容和電感綜合在一個(gè)元件里的片式疊層復合器件可以供應，使得使用更加方便，使用效果也更好。

3 片式電容器的線(xiàn)路形式

1)片式二端電容器

二端形式的片式電容器是使用最普遍的片式電容器，這里以日本村田制作所產(chǎn)品為例給說(shuō)明。

村田的片式電容器產(chǎn)品極其豐富，有一般的去耦和濾波用電容器(規格多、容量大，還有排容產(chǎn)品)，以及頻率控制、調諧和阻抗匹配用電容器(帶溫度補償)，高速和高頻電路去耦用電容器(低電感和低電阻)，中、高壓轉換用電容器(高電壓、大容量)，交流電路用電容器(符合安規要求)以及汽車(chē)傳動(dòng)與安全設備專(zhuān)用電容器等等。用戶(hù)可根據不同需要予以選擇合適的電容器

下面是村田制作所的GRM15／18／21／31系列的片式電容器，見(jiàn)圖4：